管压降是指二级管导通时的（）
相似题目
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逆变桥由晶闸管VT7～VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（）。
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二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
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可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右
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保护可控硅过电流的快速熔断器的额定电流按约等于可控硅导通时的平均电流的（）倍来选择。
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若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）
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单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。
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单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。
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电力半导体器件一般工作在较为理想的开关状态，其显著特点是导通时压降很低，关断时泄漏电流很小，消耗能量很少或几乎不消耗能量，具有高效率和节能的特点。
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单结晶体管导通条件是（）。
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红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。
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在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure<0）。
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
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逆变桥由晶闸管VT7～VT10组成。每个晶闸管均（）以限制晶闸管导通时的电流上升率。
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有一直流电动机脉宽调速系统（PWM-M），若外加电源电压U（E）=100V，脉冲频率f=4000HZ，在脉冲周期内全导通时的理想空载转速n01=1000r/min，如要求电动机的理想空载转速n02=400r/min，问：此系统在一脉冲周期内的导通时间（脉冲宽度）T1应是多少？
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在脉冲调宽开关电源中，若开关管导通时间变大、变小，占空比将随着变小、变大，变压器储存的能量会增大、减小。
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在三相星形桥式接法中，每个功率管导通120电角度。
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二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
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某场效晶体管的 U GS （） = 3V 。 什么情况下该管导通？
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普通品闸管导通的条件为()。
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锗管正向导通时，其管压降约为
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逆变桥由晶闸管VA7～VA10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（）
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理想二极管导通时正向压降为零，截止时反向电流为零。（)
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逆变桥由晶闸管VT7~VT10组成。每个晶闸管均以限制晶闸管导通时的电流上升（）
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判断线路的导通状态时，使用测量在正常电流流过电路时的压降的方法来判断导线及触点的状况更为合理（）（Ⅰ）