锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
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硅二极管正向导通电压应为（）。
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硅PN结的正向导通电压约为（）.
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在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。
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硅二极管的正向导通电压一般是（）V。
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硅管的正向导通电压约为0．7V．
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常温下，锗材料PN结正向导通电压为（）左右。
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锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
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硅二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
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晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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锗二极管正向导通电压应为（）。
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发光二极管的工作电流一般为及至十几（）之间，正向导通电压为0.5V~3V
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锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
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12在如图所示稳压二极管电路中，已知UZ1=7V，UZ2=3V，两管正向导通电压均为0.7 V，该电路输出电压为多大？（ ）。9ac8a4669093d70d67d259ec87ba5a0f.gif
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硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
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普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
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硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
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发光二极管的工作电流一般为几毫安至十几毫安之间，正向导通电压为0.5V~3V。()
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晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
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4、发光二极管的正向导通电压一般在（）V。
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设图8.2.17中各集成运放的最大输出电压+U<sub>OPP</sub>=±12V，稳压管的稳定电压U<sub>Z</sub>=6V，稳压管和二极管的正向导通电压U<sub>0</sub>=0.7V。
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
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