晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

相似题目

• 晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。

  A . 正确 B . 错误

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• 所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。

  A . 电压微变，电流微变 B . 电压微变，电流剧变 C . 电压剧变，电流微变 D . 电压不变，电流剧变

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• 晶体二极管的伏安特性

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• 绘图题：画出硅晶体二极管的正向伏安特性图。

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• 绘图题：请划出硅和锗两种二极管的伏安特性曲线。

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• 从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？

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• 二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。

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• 稳压管是一种特殊物质制造的（）型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的（）击穿区。

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• 晶体二极管的伏安特性是一条（）。

  A . A、直线 B . B、曲线 C . C、正弦线 D . D、双曲线

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• 晶闸管是硅晶体闸流管的简称，对晶闸管特性表述正确的是（）。

  A . 具有反向阻断能力 B . 没有正向阻断能力 C . 正向导通的条件是：阳极加反向偏臵电压，同时门极加正向触发电压 D . 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用 E . 晶闸管导通后的关断方法是升高阳极电压，或给门极加反向电压

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• 硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。

  A . A、正向 B . B、反向 C . C、双向 D . D、多向

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• 当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当于（）

  A . A、大电阻 B . B、断开的开关 C . C、接通的开关 D . D、小电阻

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• 晶体二极管的伏安特性是什么？

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• 晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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• 绘图题：请划出硅和锗两种二极管伏安特性曲线。

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• 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。

  A . 正确 B . 错误

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• 按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。

  A . 正确 B . 错误

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• 稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体管的共射输入特性曲线与PN结的伏安特性曲线相类似，是一条呈指数关系的曲线。

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• 二极管的伏安特性表达式为( )。

  A．i_D=I_Se^uD B．i_D=I_Se^uD-1 C．<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/6495001-6498000/2392ed268dd83381db0a284b9ca0eacc.jpg' />D．i_D=I_Se^uT

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• 在晶体管三种基本放大电路中，（)放大电路的高频特性最好。

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• 晶体二极管的伏安特性曲线上，当温度升高时，正向特性曲线向移动（）

  A．左 B．右 C．以上都不对

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• BE003单结晶体管的伏安特性曲线大致可分为3个区:截止区、负阻区和饱和区。（)

  是 否

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