晶体管的共射输入特性曲线与PN结的伏安特性曲线相类似，是一条呈指数关系的曲线。
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晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
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晶体三极管的输入特性曲线呈（）。
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所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
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在非线性元件的伏安特性研究中，在二极管的两侧加适当大小的反向电压时，PN结的变化情况为（）
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晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。
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晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。
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反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
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负载伏安特性曲线的形状仅与负载自身特性有关，而与实际加在该负载上电压的（）无关。
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温度升高时，晶体三极管的共射输入特性曲线将（）。
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从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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三极管共射极电路的输入特性曲线是指在Uce为一常数时，Ib与Ube之间的关系。
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当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当于（）
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在计算机仿真实验中，光电管的伏安特性曲线分为正向伏安特性曲线和（）伏安特性曲线两个部分
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JT-1型晶体管图示仪只能用于显示晶体管输入特性和输出特性曲线。
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晶体三极管的输入特性曲线是（）
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稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。
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温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将左移，输出特性曲线将（），而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
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稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。
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8、温度升高，晶体管输入特性曲线 。
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晶体二极管的伏安特性曲线上，当温度升高时，正向特性曲线向移动（）
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BE003单结晶体管的伏安特性曲线大致可分为3个区:截止区、负阻区和饱和区。（)
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3、PN结伏安特性方程可以描述PN结的 特性。
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