20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
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二极管的正极与PN结的P区连接,负极与PN结的N区相连。
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已知A物重力的大小P=20N,B物重力的大小Q=30N,滑轮C、D不计质量,并略去各处摩擦,则绳水平段的拉力为:()https://assets.asklib.com/psource/2015110409193622633.png
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二极管阳极是由N区一端引出,阴极是由P区一端引出。
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在A、与n相等时,(P/A、,20%,n)和(P/A、,30%,n)这两者的大小为()。
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在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。
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钢水中的ΣS+P+N+O+H总和水平,随着时代发展不断减少,20世纪80年代的要求是()。
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PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。
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PN结可看成一个电容、空间电荷区域相当于介质、P区和N区则为导体。()
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。
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当未加外部电压时,PN结中电流从N区流向P区。
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已知A物重力的大小P=20N,B物重力的大小Q=30N,滑轮C、D不计质量,并略去各处摩擦,则绳水平段的拉力为:()https://assets.asklib.com/psource/2015102713240716562.jpg
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计算题:计算2.5P20Z直探头在钢中的近场长度N和指向角。(λ=2.36mm)
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N/P 比值的大小可用来判断湖泊的富营养化状况,当 N/P 值 ___ 时 , 则认为属富营养状况。
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有以下程序: #include main() { int m,n,p; scanf(\m=%dn=%dp=%d\,&m,&n,&p); printf(\%d%d%d\\n\,m,n,p);} 若想使变量m中的值为123,n中的值为456,p中的值为789,则正确的输入是______。
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有以下程序: main() { int m,n,P; scanf("m=%dn=%dp=%d",&m,&n,&p); printf("%d%d%d\n",m,n,p); } 若想从键盘上输入数据,使变量m中的值为123,n中的值为456,p中的值为789,则王确的输入是()。
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势垒区宽度越大,势垒电容越小
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17、太阳能电池短路状态时,在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离,电子向P区漂移,空穴向N区漂移,产生由P区流向N区的漂移电流。
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PN结可看成一个电容,空间电荷区域相当于介质,P区和N区则为导体。()此题为判断题(对,错)。
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下列关于细胞内元素的叙述,错误的是[ ]有膜的细胞器及核糖体都含有C、H、O、N、P五种元素B.DN中的N元素存在下列关于细胞内元素的叙述,错误的是 [ ]有膜的细胞器及核糖体都含有C、H、O、N、P五种元素 B.DN中的N元素存在于碱基中,而蛋白质中的N元素只存在于肽键和R基中 C.C元素是细胞内最基本的元素,也是细胞干物质中含量最多的元素 D.蛋白质和色素中可能含有金属元素,但RN中一定不含有金属元素
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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PN结可以看成一个电容,空间电荷区域相当于介质,P区和N区则为导体()
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16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
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计算题:如图所示,求杠杆用作平衡时,p受力的大小及n的大小?
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PN结空间电荷区又称为__,在平衡条件下电性呈__,P区侧应带__,N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
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