16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
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PN结的电容由势垒电容和()电容两部分组成。
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
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PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。
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PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
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由于PN结内存在着内电场,因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是()。
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变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()
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涂层扩散法是用含有磷的溶液代替()进行()和加热,使磷向硅片中扩散形成pn结,具有简单易于大型化生产的优点。
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当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
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PN结有结电容。
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集成电路中的电容是用PN结电容,大于100PF的电容也可制造。
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处于放大状态的晶体管,集电极电流是由多子扩散运动形成的。
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在PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。
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势垒区宽度越大,势垒电容越小
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PN结空间电荷区是由(_ _ _)
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当PN结稳定以后,扩散运动和漂移运动也就完全停止了。()
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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二极管的工作频率有最大限制,是因为PN结具有电容特性。
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当PN结外加反向电压时,漂移电流大于扩散电流。
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PN结空间电荷区又称为__,在平衡条件下电性呈__,P区侧应带__,N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
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20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
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1、PN结势垒区电势最低的位置是()。
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7、PN结正偏时,势垒电容是主要的。
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简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
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