如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
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在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
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晶体结构愈复杂，晶格振动的非线性程度愈（）。格波受到的散射（），因此声子的平均自由程（），热导率（）。
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随着温度的升高，在晶格节点上的原子振动范围也就增大，这就是金属（）的原因。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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磷光和荧光与矿物晶格中的微量杂质有关。
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如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
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如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）
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在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
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如果温度升高，半导体的自由电子数将（）
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蓄电池的自放电和内部杂质、温度等因素有关，杂质增多，自放电（） ，温度升高，自放电（） 。
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
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电子电导时，载流子的主要散射机构有（）、（）、（）、晶格振动的散射。
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如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。
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如果温度升高，半导体的电阻值将（）。
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火焰原子吸收光谱法测定中的电离干扰与（）有关，元素的电离度随火焰原子化器的温度升高而（），随（）增大而减小。
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短时间内产生大量的热，热量来不及散出，几乎全部用于导体温升，因此导体温度迅速升高。（)
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
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1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。
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燃料油的粘度过高、雾化不好，造成燃烧不完全，表现在炉内雾气大，烟囱冒黑烟，燃料油泵压力升高，甚至会出现火嘴处结焦，火嘴喷不出油而导致炉子熄火的现象。另外，燃料油粘度过高，油中的水分和杂质之类也不便于沉降除去（油中如果混有焦粒和油泥等杂质，会导致管线等堵塞，引起燃料油中断)。所以燃料油的温度不能过低，具体由燃料油的粘度和大气温度而定，一般以（)为宜。
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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14、碳化硅（SiC）是一种常见的半导体材料，当晶格产生振动时，会形成 （填数字）支声学支 （填数字）支光学支（答案用分号隔开)
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