在集电极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>4Ec。

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• NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）

  A . 集电极对发射极的电压VCE下降 B . 基极电流增大 C . 集电极对发射极的电压VCE上升

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• 在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>2Ec（）。

  A . 正确 B . 错误

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• 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。

  A . 交流电流 B . 直流电流 C . 功率 D . 电功

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• 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。

  A . PNP管的集电极 B . PNP管的发射极 C . NPN管的发射极 D . NPN管的基极

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• 为了有效地实现调幅，集电极调幅电路必须总是工作于欠压状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）

  A . 晶体三极管将深度饱和 B . 晶体三极管将截止 C . 晶体三极管的集电极将正偏

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• 在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM≥（Pc）c。

  A . 正确 B . 错误

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• 在集电极调幅电路中，ECC愈小，过压程度（）。

  A . 越浅 B . 不变 C . 越深

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• 在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo（）。

  A . >E B . >2E C . >4E

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• 在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。

  A . 集电极电压Uce上升 B . 集电极电压Uce下降 C . 基极电流不变

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• 在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷越小。

  A . 正确 B . 错误

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• 在晶体管放大电路中，晶体管集电极的瞬时极性与（）。

  A . A、基极瞬时极性相同 B . B、基极瞬时极性相反 C . C、发射极瞬时极性相同 D . D、发射极瞬时极性没有关系

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• 在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷（）。

  A . 越大 B . 不变 C . 越小

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• 在集电极调幅电路中，ECC愈小，过压程度越浅。

  A . 正确 B . 错误

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• 在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM（）。

  A . ≥（P ） B . ≥（P ） C . ≥2（P ）

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• 在集电极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo（）。

  A . >E B . >2E C . >4E

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• 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，晶体管将发生（）

  A . A、集电极电压下降 B . B、集电极电压上升 C . C、基极电流不变 D . D、基极电压不变

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• 在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。

  A . A、将集电极电流的变化转为电压的变化 B . B、将集电极反向偏置 C . C、限制基极电流 D . D、限制集电极电流

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• 在晶体管电路中，三极管的集电极和发射极处于正偏压状态时，则三极管是处于（）。

  A . A、放大状态 B . B、截止状态 C . C、饱和状态 D . D、工作状态

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• 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有（ ）。

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• 在晶体管的BVCBO、BVCEO、BVEBO这3个击穿电压中，BVCBO的值最大。 ()此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 晶体管调节器的晶体管在饱和状态时集电结为低电阻此时相当于开关的触点闭合接通电路。（)

  是 否

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• 在晶体管放大电路中，集电极负载电阻CR的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为（)放大作用。

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