在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>2Ec（）。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
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在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。
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在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，下列哪种说法正确（）。
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基极调幅电路工作于过压状态，特点是（）。
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在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）
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当改变单一晶体管放大电路基极电阻Rb而其它参数不变时，其静态工作点Q随之向（）移动。
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在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM≥（Pc）c。
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在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo（）。
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在集电极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo>4Ec。
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在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
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晶体三极管在放大电路中有（）、共基极和共集电极三种基本接法。
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在NPN型晶体管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（）。
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基极调幅电路工作于过压状态，特点是效率低。
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在基极调幅电路中，选择晶体管时，需保证PCM（）。
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在集电极调幅电路中，选择晶体管时，需保证BVceo（）。
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为保证基极调幅电路始终工作在欠压状态和充分利用线性区，载波状态应选在欠压区中点。
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在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有（ ）。
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在晶体管的BVCBO、BVCEO、BVEBO这3个击穿电压中，BVCBO的值最大。 ()此题为判断题(对，错)。
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电集三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（)。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。此题为判断题(对，错)。
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晶体管电压放大电路中，基极电阻RB的主要作用是（）。（晶体管）
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极等3中放大电路中，电压放大倍数最小的是（）
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