在同样温度变化的情况下，硅二极管要比锗二极管性能稳定（）
相似题目
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锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。
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在同样的反向电压下，二极管的反向电流越小越好。
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硅二极管具有（）导电性能。
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硅三极管正常工作时的Ube变化范围在（）
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硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
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硅整流二极管在正向电压的作用下，电流由（）流通。
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硅整流二极管的特性是单向导电性能。
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
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因反负饱合电流的影响，在温度变化较大的环境下三极管应选择（）管；
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硅稳压二极管的稳定电压U，与温度有关，当温度变化时，U将随着变化。
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所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。
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硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
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有一硅光电二极管，其光敏面积为2mm2，在室温下测得输出光电流为15μA（一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5μA/μW)，
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硅二极管的温度每升高8℃，反向电流约增加（)倍。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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题目62.当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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题目45.在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）
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2、在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
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