由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

相似题目

• 探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。

  A . A、N=1.22λ/D B . B、N=D/4λ C . C、N=D2/4λ D . D、N=2/D

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• 探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。

  A . 正确 B . 错误

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• 探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

  A . A、增加 B . B、减小 C . C、不变

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• 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

  A . 正确 B . 错误

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• 紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。

  A . 正确 B . 错误

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• 计算题：求折射角为37°斜探头在钢中的近场区长度。（已知λ=1.6mm、α=30°、晶片尺寸为10mm×13mm）。

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• 探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？

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• （）是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。

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• 下列（）晶片发射纵波的近场区最长。

  A . A、1MHzφ14mm B . B、2.5MHzφ14mm C . C、1MHzφ20mm D . D、25MHzφ30mm

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• 斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

  A . 正确 B . 错误

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• 扩大近场区范围需增加：①频率②波长③探头直径④带宽（）

  A . ② B . ②④ C . ③ D . ①③

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• 计算题：有一个8mm×10mm方晶片制作的纵波直探头，其近场区长度为10.8mm，求该探头的频率（已知钢Cl=5900m/s）。

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• 超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。

  A . 正确 B . 错误

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• 探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些有利因素？

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• 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。

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• 当晶片直径D远大于波长时，近场长度N=（）。

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• 计算题：计算14×16mm方晶片制作的频率为2.5MHzK1斜探头在钢中的近场区长度（钢Cl=3230m/s）。

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• 计算题：计算2.5P20Z直探头在钢中的近场长度N和指向角。（λ＝2.36mm）

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• 超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。

  A . 正确 B . 错误

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• 同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

  A . 正确 B . 错误

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• 一般工件厚度较小时，选用较大的K值，以便增加（）的声程，避免近场区探伤。

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• 当其他条件一定时，若超声波频率增加，则近场区长度和半扩散角都增加。此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 探头的近场长度由下式决定：（式中λ波长，f频率，D晶片直径，a晶片半径)（)。

  A、N=1.22λ/D B、N=D/4 C、N=aλ D、N=λ/D

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• 斜探头近场区在两种介质中的分布：用N表示N=Fscosβ/πλs2cosα-L1tcmα/tcmβ。（)

  是 否

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