下列（）晶片发射纵波的近场区最长。
相似题目
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探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。
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频率和晶片尺寸相同，横波指向性比纵波好。
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探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。
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探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
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紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。
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计算题：求折射角为37°斜探头在钢中的近场区长度。（已知λ=1.6mm、α=30°、晶片尺寸为10mm×13mm）。
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下滑近场监控天线到天线塔的距离与（）、发射频率有关。
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由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
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纵波直探头的近场长度不取决于下述何种因素（）
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斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
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计算题：有一个8mm×10mm方晶片制作的纵波直探头，其近场区长度为10.8mm，求该探头的频率（已知钢Cl=5900m/s）。
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超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
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直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
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检验近表面缺陷时，最好采用联合双晶探头是因为该探头晶片前面带有机玻璃延迟块，减小了纵波单晶探头存在的阻塞。
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当晶片直径D远大于波长时，近场长度N=（）。
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计算题：计算14×16mm方晶片制作的频率为2.5MHzK1斜探头在钢中的近场区长度（钢Cl=3230m/s）。
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超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
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同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
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下列方法中，可以得到较大的近场区是（）
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超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比此题为判断题(对，错)。
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频率和晶片尺寸相同时,横波声束指向性比纵波好此题为判断题(对，错)。
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探头的近场长度由下式决定：（式中λ波长，f频率，D晶片直径，a晶片半径)（)。
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如超声波频率不变，晶片面积越大，超声场的近场长度越短。此题为判断题(对，错)。
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直径6mm，频率5MHz的换能器在铝（纵波声速=6300m／s)中的近场长度约为（)