DRAM称为（）

相似题目

• 存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。

  A . 正确 B . 错误

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• 下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）

  A . 快页模式DRAM B . 音频RAM C . 扩展数据输出DRAM D . 同步DRAM

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• DRAM被用做系统内存是因为？（）

  A . 高可用 B . 低成本 C . 低功耗 D . 低散热

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• SRAM和DRAM的区别？（）

  A . SRAM比DRAM功耗高 B . SRAM比DRAM成本高 C . SRAM比DRAM速度快 D . SRAM比DRAM散热大

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• DRAM相对于SRAM的优点之一是（）

  A . 存取速度快 B . 可靠 C . 存取容量大 D . 安全

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• 请选出于CPU外部工作时钟同步的DRAM类型（）

  A . FPM（Fast Page Mode）DRAM B . EDO（Extended Data Out）DRAM C . SDRAM（SynChronous）DRAM D . BEDO（Burst Exten Ded Data Out）DRAM

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• EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。

  A . 没有区别 B . EDO RAM比FPM DRAM的快 C . FPM DRAM比EDO RAM的快 D . EDO RAM比FPM DRAM小 E . FPM DRAM比EDO RAM价格高

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• PC机主存采用DRAM组成还是SRAM组成？

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• EDO DRAM

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• 一般来说，DRAM的价格要比SRAM的（）。

  A . A、高 B . B、低 C . C、一样 D . D、不一定

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• DRAM

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• 下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

  A . DRAM存储器需要对存储内容定时刷新 B . DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点 C . DRAM存储器属于非易失的存储器 D . DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

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• 跟DRAM相比，SRAM的特点是（）

  A . 每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高 B . 每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高 C . 每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高 D . 每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低

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• 微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。

  A . 正确 B . 错误

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• SRAM每个单元的规模大于DRAM的规模。

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• DRAM的特点是（ ）。

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• 对DRAM芯片的刷新是按（ ）进行的。

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• DRAM与SRAM相比，错误的是（ ）。

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• 下面有关SRAM,DRAM的叙述，正确的有（)

  A．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 B．DRAM比SRAM成本高 C．DRAM比SRAM速度快 D．DRAM要刷新，SRAM不刷新

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• 判断：对DRAM单元的读出是破坏性的_所以DRAM的存储元只在读出后需刷新。;（）

  A．对; B．错;

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• dram存储器的中文含义是

  DRAM存储器的中文含义是() A.静态随机存储器 B.动态随机存储器 C.静态只读存储器 D.静态只读存储器

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• 一般来说SRAM的体积比DRAM()。

  A．小 B．大 C．一样 D．不确定

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• 试述DRAM刷新过程和正常读／写过程的区别。

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• SRAM和DRAM的读写速度比较？

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