6、将带正电导体M置于中性导体N附近，两者表面的电荷都将重新分布，以下说法正确的是：

相似题目

• 在金属导体中，电流的形成实际是（）移动而不是正电荷移动。

  A . 电荷 B . 自由电子 C . 质子 D . 原子

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• P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.

  A . 正确 B . 错误

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• 导体在磁场中作切割磁力线运动时，导体中的自由电子因磁场力的作用而沿导线向一定方向移动，其结果使导体的一端聚集着较多的自由电子而呈现出负电荷；另一端则由于失去电子而呈现出正电荷，导体两端因出现这些电荷而产生了电位差，这就是导体上的（）。

  A . A、电压 B . B、感应电流 C . C、正负位差 D . D、感应电动势

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• 如图所示，两个相同的空心金属球壳M和N，M带-Q电荷，N不带电，旁边各放一个不带电的金属球P和R（M、N相距很远，互不影响），当将带正电Q的小球分别放入M和N的空腔时（）https://assets.asklib.com/psource/201603011726209453.jpg

  A . P、R上均出现感应电荷 B . P、R上均没有感应电荷 C . P上有感应电荷，而R上没有感应电荷 D . P上没有感应电荷，而R上有感应电荷

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• 一导体球外充满相对介电常数为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度σ为（）

  A . ε E B . ε ε E C . ε E D . （ε ε -ε ）E

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• 识绘题：下图在空腔中放一带正电的导体，分别标出空腔金属外壳接地和不接地情况下空腔内外表面感应的电荷以及电力线方向。用+号表示正电荷，—号表示负电荷。https://assets.asklib.com/psource/2015042115495211336.jpg

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• 在电晕电场中，不论导体和非导体均能获得正电荷。

  A . 正确 B . 错误

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• 如图所示为一带正电荷的物体M靠近一不带电的金属导体N，N的左边感应出负电荷若将N的左端接地，则（）。https://assets.asklib.com/source/12731447989649637.png

  A . N上的正电荷流入地。 B . N上的负电荷流入地。 C . N上的所有电荷都流入地。 D . N上的所有电荷都不动。

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• 一导体球外充满相对介电常数为的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度为：（ ）/ananas/latex/p/38988bab5dd3c99f8a6b9bc9b4d1090096063.jpg

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• 带正电荷的物体M，靠近不带电的金属导体N的左端，N的左端感生出负电荷，右端感生出正电荷。若将金属导体N的左端接地，则

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• 导体表面附近P点的场强与表面上对应P点的电荷面密度 的关系为（）。ec42d4f14eb3e8745efffbda0d74d1b8.gif

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• 一孤立导体球壳带有正电荷，若将远处一带电体移至导体球壳外附近，则

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• 一带正电荷的物体M，靠近一原不带电的金属导体N，N的左端感生出负电荷，右端感生出正电荷．若将N的左端接地，如图所示，则（ ）http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201802/95e87a14fe1f4e38b8d6cbcbb36356e6.png

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• 如图15—4所示，一个“无限大”均匀带电平面A，其附近放有一个与它平行、有一定厚度的“无限大”导体平板B．已知A上的面电荷密度为+σ，则在导体平板B的两个表面1和2上的感生面电荷密度分别为()．

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/ba8bf5913a6bf998.jpg' /> A．σ1=-σ， σ2=+σ B．<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/3cc7b22c06f96c98.jpg' /> C．σ1=-σ，σ2=0 D．<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/fb7873e64af98a98.jpg' />

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• 26、P型半导体带正电，N型半导体带负电

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• 将不带电荷的导体M和带负电荷的导体N接触后，在导体M中的质子数 ( )

  A．增加 B．减少 C．不变 D．先增加后减少

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• 【单选题】一导体球外充满相对介电常量为er的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度s为

  A．e 0 E． B．e 0 e r E． C．e r E． D．(e 0 e r - e 0)E．

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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• 在“无限大”均匀带电平面A附近放一与它平行，且有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示，已知A上的电荷面密度为+σ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为多少？

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-02-08/98164832901565.png' />

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• 设有一薄均匀金属盘放在一个无限大的导体平面上，两者均不带电。今将其置于一方向与平面垂直的均匀引力场中，然后缓慢地充电，问：当电荷密度达到多大值时，金属盘开始脱离平面？

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/5106001-5109000/e70fa116e15e4bc76a11205c7e3f6bf8.jpg' />

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• 半导体界面附近的固定正电荷来源于（)

  A．晶格失配 B．悬挂键 C．氧空位 D．离子玷污

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• 4、将一个带正电的带电体A从远处移动到一个不带电的导体B附近，则导体B的电势将（）

  A．升高 B．降低 C．不发生变化 D．无法确定

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• 10、将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B附近，则导体B的电势将[ ]

  A．升高 B．降低 C．不会发生变化 D．无法确定

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• 24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。

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