半导体界面附近的固定正电荷来源于（)

相似题目

• https://assets.asklib.com/source/8121447918190085.jpg一个未带电的空腔导体球壳，内半径为R，在腔内离球心的距离为d处(d<r) 固定一点电荷+q，用导线把球壳接地，选无穷远处为电势零点，则球心O处的电势为( )。

  A . ['['0B .https://assets.asklib.com/psource/3741447918284783.png C .https://assets.asklib.com/psource/58211447918305789.png D .https://assets.asklib.com/psource/67111447918320117.png

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• P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.

  A . 正确 B . 错误

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• 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

  A . 【100】 B . 【111】 C . 【110】 D . 【111】或【110】

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• 电气设备附近遭受雷击，在设备的导体上感应出大量与雷云极性相反的束缚电荷，形成过电压，称为雷电反击过电压。第六章

  A . 正确 B . 错误

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• 一导体球外充满相对介电常数为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度σ为（）

  A . ε E B . ε ε E C . ε E D . （ε ε -ε ）E

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• 在电晕电场中，不论导体和非导体均能获得正电荷。

  A . 正确 B . 错误

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• 电气设备附近遭受雷击，在设备的导体上感应出大量与雷云极性相反的束缚电荷，形成过电压，称为雷电反击过电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 当任何一个导体处在电场中时，导体上的电荷也会产生电场，这个电场会迭加在原来的电场之上，改变导体附近的（），这时导体周围的场称为畸变场。

  A . 电流大小 B . 电压分量 C . 电流方向 D . 电场分布

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• 一导体球外充满相对介电常数为的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度为：（ ）/ananas/latex/p/38988bab5dd3c99f8a6b9bc9b4d1090096063.jpg

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• 带正电荷的物体M，靠近不带电的金属导体N的左端，N的左端感生出负电荷，右端感生出正电荷。若将金属导体N的左端接地，则

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• 导体表面附近P点的场强与表面上对应P点的电荷面密度 的关系为（）。ec42d4f14eb3e8745efffbda0d74d1b8.gif

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• 一孤立导体球壳带有正电荷，若将远处一带电体移至导体球壳外附近，则

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• 理想MIS电容的就是一个固定的氧化层电容与一个随电压可变的半导体空间电荷层电容的并联而已。

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• 一“无限大”均匀带电平面A，其附近放一与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示．已知A上的电荷面密度为 ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为（ ）http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201802/4df928fb4dfb458ba55103dd0ebe6db4.png

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• 如图15—4所示，一个“无限大”均匀带电平面A，其附近放有一个与它平行、有一定厚度的“无限大”导体平板B．已知A上的面电荷密度为+σ，则在导体平板B的两个表面1和2上的感生面电荷密度分别为()．

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/ba8bf5913a6bf998.jpg' /> A．σ1=-σ， σ2=+σ B．<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/3cc7b22c06f96c98.jpg' /> C．σ1=-σ，σ2=0 D．<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9090001-9093000/fb7873e64af98a98.jpg' />

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• 由于静电感应使导体出现感应电荷。感应电荷分布在导体的表面，其分布情况取决于导体表面的形状，导体表面弯曲度愈大的地方，聚集的电荷愈多;较平坦的地方聚集的电荷就少。导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成"尖端放电"现象。()

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• 【单选题】一导体球外充满相对介电常量为er的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度s为

  A．e 0 E． B．e 0 e r E． C．e r E． D．(e 0 e r - e 0)E．

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• 在“无限大”均匀带电平面A附近放一与它平行，且有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示，已知A上的电荷面密度为+σ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为多少？

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-02-08/98164832901565.png' />

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• 由于静电感应使导体浮现感应电荷。感应电荷分布在导体表面，其分布状况取决于导体表面形状，导体表面弯曲度愈大地方，汇集电荷愈多;较平坦地方汇集电荷就少。导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成“尖端放电”现象。()此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 6、将带正电导体M置于中性导体N附近，两者表面的电荷都将重新分布，以下说法正确的是：

  A．N的表面既有正电荷，又有负电荷。 B．M的表面既有正电荷，又有负电荷。 C．M的表面不可能出现负电荷。 D．N的表面不可能出现负电荷。

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• 4、将一个带正电的带电体A从远处移动到一个不带电的导体B附近，则导体B的电势将（）

  A．升高 B．降低 C．不发生变化 D．无法确定

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• 10、将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B附近，则导体B的电势将[ ]

  A．升高 B．降低 C．不会发生变化 D．无法确定

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• 24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。

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• 5、双电层结构本质上是在Ⅰ/Ⅱ类导体界面处狭窄空间的两侧出现正负电荷的分离，试问，双电层两侧的电压是（）

  A．约1V B．约10V C．约100V D．不可测

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