测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。
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用电压表测得某交流电源电压为100V．那么该电源电压最大值是（）。
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场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
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用电压表测得某交流电源电压为100V，那么该电源电压最大值为（）
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用电压表测得某交流电源电压为100V，那么该电源电压最大值是（）
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N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
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额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
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在放大电路中，测得某三极管的E、B、C三个电极对地电位分别为－2V、－2.3V、－7V，则这个管子是（）。
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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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电阻两端电压为1V时，电阻值为1Ω，当电压升高至2V时，电阻值还是1Ω
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一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
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测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻为（ ）。
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N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
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下图所示电路中，uI1= −2V，uI2=1V，放大电路的输出电压uO为（ ）。ebd28b389b487e42e99534abc1a0642d.JPG
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测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为 10mV 和 10 μ A ，在负载电阻为 2K Ω 时，测得输出正弦电压信号的峰值为 2V 。试计算该放大电路的电流放大倍数（）
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结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间PN结反偏。（ ）
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在图1.5.9中，已知U12=2V，U23=3V,U25=5V,U37=3V，U67=1V，尽可能多地确定其他各元件的电压。
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放大电路如图1所示，RG1=100K，RG2=50K，RD=3K，RL=3K;场效应管T的参数如下：Kn=0.25mA/V2，Vth=2V，rds=∞。(<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/99190431480026.jpg' />)
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开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
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场效应管增强型MOS管具有开启电压（）
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测得某放大电路中晶体管的三个管脚1，2，3 的电位分别为2V，6V 和2.7V，则该晶体管为（）
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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14、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
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10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时，外加栅源电压vGS的极性为______。
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12、一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。
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