18、下面（）可减小IGBT的通态压降。
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P-MOSFET是多数载流子工作的器件，其元件的通态电阻具有正的（），有较宽的安全工作区。
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在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通晶闸管能够承受而不至损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率di/dt。
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其他一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）
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减小压降措施有（）
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普通电力二极管正向通态压降为（）V。
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简述减小电压互感器二次压降的方法。
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通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。
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晶闸管的通态平均电流大于200安培，外部均为平板式。
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IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降，从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
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料层开始沸腾之间，压降随风量增加而急速减小。
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KP20-10表示普通反向阻断型晶闸管的通态正向平均电流时（）。
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下列能使加氢精制反应器压降减小的是（）。
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以下哪些措施可以减小电压互感器二次回路压降误差？（）
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晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其它一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
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图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i1，电流波形的峰值为Im1。计算电流波形的平均值Id1与有效值I1。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991924069846758.png' />
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图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i3，电流波形的峰值为Im3。计算电流波形的平均值Id3与有效值I3。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991923977221993.png' />
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普通晶闸管的通态电流( )是用( )来表示
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普通晶闸管的通态电流（额定电流)是用电流的（)来表示的
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电力电子容件的通态损耗与器件的通态（)有关。
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5、关于IGBT，下面（）不正确。