当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，则该管子（）。

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• 如果三极管的集电极电流IC大于它的集电集最大允许电流ICM，则该管（）。

  A . 被烧坏 B . 被击穿 C . 电流放大能力下降 D . 正常工作状态

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• NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）

  A . 集电极对发射极的电压VCE下降 B . 基极电流增大 C . 集电极对发射极的电压VCE上升

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• 当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I时，该管必被击穿。

  A . 正确 B . 错误

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• 根据PNP型晶体三极管的电流分配原理，当处于放大状态时，其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是（）。

  A . IC=IE＋IB B . IB=IC+IE C . IE=IC+IB D . IB=IC+IE

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• 发射当晶体三使极管的基极电源结反向时，则晶体三极管的集电极电流将减小。

  A . 正确 B . 错误

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• 当电流通过晶体三极管时、其基极电流、集电极电流、发射极电流中最大的是（）

  A . 基极电流 B . 集电极电流 C . 发射极电流

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• 当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流时，则该管子（）。

  A . A.放大能力降低 B . B.必定过热至烧毁 C . C.仍能正常工作 D . D.被击穿

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• 集电极最大允许电流ICM

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• 当电流通过三极管时，晶体三极管内部包括集电极电流Ic、基极电流Ic和发射极电流Ie，三电流分配关系为（）。

  A . Ie＝Ic＋Ib B . Ic＝Ie＋Ib C . Ib=Ic＋Ie

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• 如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流，则该管（）。

  A . 放大能力降低 B . 击穿 C . 管子过热甚至烧坏 D . 上述A、C皆可能

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• 在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。

  A . 集电极电压Uce上升 B . 集电极电压Uce下降 C . 基极电流不变

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• 当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将（）。

  A . 反向 B . 增大 C . 中断 D . 减小

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• 在使用三极管时，若集电极电流Ic超过最大允许电流Icm，则β值要增大（）

  A . 正确 B . 错误

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• 个晶体三极管工作时测得它的集电极电流为7．6mA，基极电流为0．4mA，其发射极的电流是多少？（）

  A . 8 B . 16 C . 4 D . 32

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• 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降（）。

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• 在使用三极管时，集电极电流超过ICM并一定会使三极管损坏

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• 晶体三极管在放大状态时，当管子的基极电流为10微安时，集电极电流为1毫安，则三极管的静态电流放大系数是（ ）。

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• 有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（   ）。

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• 当晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（）

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• 当晶体三极管集电极电路大于它的最大允许电流时，则该三极管放大能力降低（减少)。（)

  是 否

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• 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降∪BE减小（）

  是 否

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• 当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管子（）。 （晶体管）

  A．放大能力降低 B．必定过热烧毁 C．仍能正常工作 D．被击穿

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• 3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。

  A．工作正常 B．放大能力较差 C．击穿 D．管子过热甚至烧坏

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• （）当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管比被击穿

  是 否

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