当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流时,则该管子()。
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如果三极管的集电极电流IC大于它的集电集最大允许电流ICM,则该管()。
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固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将()。
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NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()
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当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I时,该管必被击穿。
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根据PNP型晶体三极管的电流分配原理,当处于放大状态时,其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是()。
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发射当晶体三使极管的基极电源结反向时,则晶体三极管的集电极电流将减小。
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当电流通过晶体三极管时、其基极电流、集电极电流、发射极电流中最大的是()
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当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,则该管子()。
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测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的β为()。
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当电流通过三极管时,晶体三极管内部包括集电极电流Ic、基极电流Ic和发射极电流Ie,三电流分配关系为()。
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如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流,则该管()。
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在晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管()。
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当晶体三极管的基极电源使发射结反向时,则晶体三极管的集电极电流将()。
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个晶体三极管工作时测得它的集电极电流为7.6mA,基极电流为0.4mA,其发射极的电流是多少?()
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当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降()。
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晶体三极管在放大状态时,当管子的基极电流为10微安时,集电极电流为1毫安,则三极管的静态电流放大系数是( )。
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有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的( )。
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当晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。()
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当晶体三极管集电极电路大于它的最大允许电流时,则该三极管放大能力降低(减少)。()
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当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic增加,发射结压降∪BE减小()
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半导体三极管主要参数有一只晶体管,其α值为0.98,当发射极电流为2mA时,该管的β值是()
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当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管子()。 (晶体管)
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3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA,发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V,集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW,使用时测得其集电极电流IC=15mA,UCE=10V,则该管()。
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()当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管比被击穿
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