跨导
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HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？
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跨导
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跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。
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已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg
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已知晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导gcr=0.8A/V ，用此晶体管做成的谐振功放电路的Ec=24V ，θ=70° ，Ic max=2.2A ，α0(70°)=0.253 ，α1(70°)=0.436并工作在临界状态。试计算PO ,PS,ηC,Rcp。
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当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力越强。
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电子三级管跨导的定义式为（）
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用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定E<sub>c</sub>=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算IC0，Ic1m和Rc。
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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
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用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定Ec=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算P0，Ps，PC和ηc。
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放大电路如图2所示。已知的，，，设通带内各电容均可视为交流短路。试求跨导（）http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201809/1430e7be7e7a4390820a3d9ed8ee36bc.png
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当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。
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在图2.4.4所示的放大电路中，已知V<sub>DD</sub>=30V，R<sub>d</sub>=15kn，R<sub>0</sub>=1kΩ，Rg=20MΩ，R<sub>1</sub>=30kΩ，R<sub>2</sub>=200kΩ，负载电阻R<sub>L</sub>=1MΩ，场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS。
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8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。
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1、低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
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2、跨导是一个与工作点无关的物理量。
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28、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
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