当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。
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场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。
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场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
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场效应管的漏极用英文字母（）表示.
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已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg
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在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）
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当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
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某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
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场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。
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已知常温下BJT管的工作点电流为2mA，则其交流等效电阻rd为多少？且与温度之关系为（）
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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
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由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。
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结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。
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当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。
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【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。
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场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
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场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。
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1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。
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12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
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69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
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场效应管的漏极电流则受栅£源电压直接控制，是一种（)控制器件。
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某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
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