由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。

相似题目

• 要得到一个由电压控制的电流源应选用（）

  A . 电流并联负反馈 B . 电流串联负反馈 C . 电压并联负反馈 D . 电压串联负反馈

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• 由于红外辐射不可能穿透设备外壳，因而红外诊断方法，不适用于电力设备内部由于电流效应或电压效应引起的热缺陷诊断。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

  A . 体内场效应而工作的 B . 表面场效应而工作的 C . 载流子导电而工作的

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• 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

  A、增大 B、不变 C、减少 D、以上答案都不对

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

  A . 耗尽型管 B . 增强型管 C . 绝缘栅型 D . 无法确定

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• 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

  A . A．少子 B . B．电子 C . C．多子 D . D．两种载流子

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

  A．Y.是 B．N.否

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• 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

  场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD()。 A.很大 B.随VDS变化 C.较小 D.等于0

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• 场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）

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• 2、流控电流源与压控电流源的输出特性都与（)的特性一致。

  A．独立电压源 B．独立电流源 C．零值电压源 D．零值电流源

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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• 2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

  A．12A B．25A C．36A D．40A

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• 1、低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。

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• 1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

  A．电流，电场 B．电场，电压 C．电流，电压 D．电压，电流

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• 46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

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• 11、场效应管是电压控制电流型器件。（）

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