在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

相似题目

• 绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

  A . A.较大 B . B.较小 C . C.为零 D . D.无法判断

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• 地下管道防腐绝缘层检漏仪接收机为了提高信号输入效率和（），使用绝缘栅型场效应晶体管做输入放大级。

  A . 提高输出功率 B . 改善信号质量 C . 增强抗干扰性 D . 提高放大倍数

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• 场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。

  A . A、N沟道和P沟道 B . B、H沟道和P沟道 C . C、N沟道和H沟道 D . D、Y沟道和H沟道

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• 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

  A . 结构复杂 B . 复合 C . 全控型 D . 电压驱动式

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• 在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路。

  A . 正确 B . 错误

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• 结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅-源间的电压控制漏级电流的。由它构成的放大电路（），并有一定的电压放大倍数。

  A . 输入电阻很大 B . 输入电阻很小 C . 输出电阻很大 D . 输出电阻很小

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• D沟道型场效应管中的载流子是（）

  A . 自由电子 B . 空穴 C . 电子和空穴 D . 带电离子

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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• 场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

  A . A．少子 B . B．电子 C . C．多子 D . D．两种载流子

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。

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• 结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

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• 绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）

  是 否

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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• 2、场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。

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• 1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

  A．电流，电场 B．电场，电压 C．电流，电压 D．电压，电流

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• 46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

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