场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

相似题目

• PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的（），这种情况下的电流称为（）。

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• 在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。

  A . 可调电阻区 B . 饱和区 C . 击穿区 D . 负阻区

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• 场效应管共漏极放大器（源极跟随器）的特点是（）

  A . A、输入、输出阻抗均很大，输入输出信号同相 B . B、输入、输出阻抗均很大，输入输出信号反相 C . C、输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号反相 D . D、输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号同相

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• 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。

  A . 射极、基极和集电极 B . 基极、射极和集电极 C . 集电极、基极和射极

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• 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的漏极用英文字母（）表示.

  A . A、S； B . B、G； C . C、D； D . D、V

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• 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）

  A . 体内场效应而工作的 B . 表面场效应而工作的 C . 载流子导电而工作的

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。

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• 功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。

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• 由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。

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• 必须加栅极电压，漏极和源极才能导电的场效应管称为（）

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

  A．Y.是 B．N.否

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• 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

  场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD()。 A.很大 B.随VDS变化 C.较小 D.等于0

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• 场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

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• 场效应管起放大作用，同时应工作在漏极特性的（）。

  A.非饱和区 B.包和区 C.截止区 D.击穿区

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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• 1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

  A．电流，电场 B．电场，电压 C．电流，电压 D．电压，电流

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• 46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

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