场效应管的漏极用英文字母（）表示.

相似题目

• 在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。

  A . 可调电阻区 B . 饱和区 C . 击穿区 D . 负阻区

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• 场效应管共漏极放大器（源极跟随器）的特点是（）

  A . A、输入、输出阻抗均很大，输入输出信号同相 B . B、输入、输出阻抗均很大，输入输出信号反相 C . C、输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号反相 D . D、输入阻抗很大，输出阻抗很小，输入输出信号同相

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• 场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。

  A . 射极、基极和集电极 B . 基极、射极和集电极 C . 集电极、基极和射极

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• 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U DS =10V，U GS =0V处的跨导gm约为（）。 https://assets.asklib.com/images/image2/2017120718071633002.jpg

  A . 1mA/V B . 0.5mA/V C . -1mA/V D . -0.5mA/V

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• 场效应管源极用（）表示。

  A . C B . G C . S D . D

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• 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

  A、增大 B、不变 C、减少 D、以上答案都不对

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• 在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时，应选用栅漏极间分布电容小的管，以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。

  A . 正确 B . 错误

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• 可控硅的三个极中，控制极用字母（）表示。

  A . A、K B . B、C C . C、G D . D、A

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• 场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。

  A . A．少子 B . B．电子 C . C．多子 D . D．两种载流子

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 必须加栅极电压，漏极和源极才能导电的场效应管称为（）

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• 结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。

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• 当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

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• 当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

  场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD()。 A.很大 B.随VDS变化 C.较小 D.等于0

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• 场效应管的图形符号中，S表示（）

  A．栅极 B．源极 C．漏极 D．集电极

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• 场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。

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• 场效应管起放大作用，同时应工作在漏极特性的（）。

  A.非饱和区 B.包和区 C.截止区 D.击穿区

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）

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• 场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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• 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。

  A．N沟道结型管 B．增强型PMOS管 C．耗尽型PMOS管 D．耗尽型NMOS管

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