当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.
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集成电路内通常包含有晶体二极管、晶体三极管、电阻、电容和电感。
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晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。
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完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
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“一向延伸”是指矿物的（）形态，众多晶体生长在一个基座上，各晶体大致沿着相似的方向排列、生长，形成基部相连、末端分离的晶体簇叫（）。象黑钨矿中的铁和钨离子可以相互置换的现象叫（）。
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集成电路内通常包含有晶体二极管，晶体三极管，电阻，电容和电感。
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在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。
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结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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金属中晶体缺陷的存在会使金属的力学性能降低，所以通常希望金属中的晶体缺陷越少越好。（）
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对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？
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当改变单一晶体管放大电路基极电阻Rb而其它参数不变时，其静态工作点Q随之向（）移动。
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在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
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使用JT-1型晶体管图示仪，当阶梯选择开关置于“毫安/级”位置时，阶梯信号不会通过串联电阻，因此没有必要选择串联电阻的大小。
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在串联晶体振荡电路中，晶体等效为电阻，在并联晶体振荡电路中，晶体等效为电感。
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外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子，杂质原子既可以进入间隙位，也可以取代原有原子进入正常结点位置。
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现有350g含有少量杂质（杂质不溶于水）的无水醋酸钠，为了精制醋酸钠除去杂质，将其溶于水，当升温到100℃时溶液恰好饱和，滤去其中全部杂质，当滤液温度降至20℃时析出无水晶体93g。假设过滤过程中水未损耗，醋酸钠的纯度是（）。（20℃时，醋酸钠的溶解度为123.5g，100℃时醋酸钠的溶解度为170g）
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在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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当晶体管饱和时，发射极与集电极之间如同一个开关的接通其电阻（）
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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晶体管电压放大电路中，基极电阻RB的主要作用是（）。（晶体管）
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晶体在生长过程中各种偏离晶体构造中质点周期性重复排列的现象被称为组成缺陷。（)
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4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)
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