因材料温度系数的不同，由GaAs（砷化镓)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒流驱动方式;而由InSb（锑化铟)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒压驱动方式。（)
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电阻率又叫电阻系数，它是指某种导体材料做成长1米，横截面为1毫米2的导线，在温度为20℃时的电阻值。
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制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。
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为了计算导电材料在不同温度下的电阻值，我们把温度每升高1℃时，导体电阻值的增加与原来电阻值的比值叫做导体电阻的温度系数，用“”表示。
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同一导体在不同温度下它的电阻值是不同的，实践证明各种金属材料温度升高时，电阻将（）。
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为了计算导电材料在不同温度下的电阻值，我们把温度每升高1℃时，导体电阻值的增加与原来电阻值的比值叫做导体电阻的温度系数，用“a”表示。
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发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，它在通过（）电流时会发光，发光的颜色取决于所用的材料，可发出红、黄绿及红外光等。
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可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）
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（）是在同一导体材料的两端因其温度不同而产生的一种热电势
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半导体材料具有以下特性（）。 （1）在常温下具有明显的导电性能（2）当温度升高时，电阻将降低（3）不同部位的导电性能极不均匀
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霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使（）变化，产生温度误差。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
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为减少因温度变化而引起的测量误差，量规材料的线膨胀系数应（）被检查工件材料的线膨胀系数。
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使用GaAlAs-GaAs材料的半导体激光器适用于（）波段。
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太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
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材料的热膨胀系数，是在单位温度下，材料因温度变化发生胀、缩量的比率，多以（）计
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热电偶式温度检测器是由热电偶和测量桥路组成。其热电偶是两根不同的金属导体材料焊接而成的。
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7、依据导体电阻随温度变化的特性可以制成热电阻，要求其材料电阻温度系数大、稳定性好、电阻率高、电阻与温度之间最好有线性关系。
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12、在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中，衬底材料与外延材料可能不一致，由于二者的晶格常数不同，会存在（）失配。
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n型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件，目前用的较多的半导体材料有锗、锑化铟、砷化铟。（)
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半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
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选用不同导体材料做热电极，会影响热热电偶温度传感器的（)。
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关于应变式压力计结构，根据选用的材料或参杂多少的不同，半导体灵敏度系数可做成（）
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材料膨胀系数不同可以使应变式传感器产性温度误差。（)
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1、与第一代半导体材料硅锗相比，第二代半导体材料砷化镓具有的优势在于：________________________。
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