位错是晶体的（)缺陷。

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• 晶体结构的位错类型（）、（）、（）。

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• 对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 利用（）观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。

  A . 缀饰法 B . 透射电镜 C . 蚀坑 D . 场离子显微镜观测方法

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• 晶体中的刃形位错属于（）。

  A . 体缺陷 B . 面缺陷 C . 线缺陷 D . 点缺陷

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• 晶体中存在的空位、间隙原子、位错等缺陷都会造成晶格畸变，从而使金属的强度（）。

  A . A．提高 B . B．降低 C . C．不受其影响 D . D．不一定，视具体何种金属而定

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• 位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）

  A . 随位错线运动方向而改变 B . 始终是柏氏矢量方向 C . 始终是外力的方向 D . 垂直于柏氏矢量方向

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• 位错线只能终止在晶体表面或界面上，而不能中止于晶体内部。

  A . 正确 B . 错误

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• 多晶体的塑性变形主要是以位错方式进行的，并且是不均匀的。

  A . 正确 B . 错误

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• 单晶体的滑移，实际上是位错的移动。

  A . 正确 B . 错误

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• 在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。

  A . 低于 B . 高于 C . 等于 D . 不确定

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• 位错是（）缺陷、晶界是（）缺陷。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（        ）。

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• 随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。

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• 刃型位错是晶体内滑移面上已滑移区与未滑移区的交界线。

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• 2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。

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• 刃型位错的位错线与晶体的滑移方向垂直。（)

  是 否

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• 2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。

  A．滑移 B．攀移 C．滑移和攀移 D．不确定

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• 位错属于下列晶体缺陷中的（）

  A、点缺陷 B、线缺陷 C、面缺陷 D、晶格畸变

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• 金属塑性变形的实质是晶体内部通过位错在切应力作用下的不断运动实现（)的结果。

  A．A.滑移 B．B.偏移 C．C.迁移 D．D.移动

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• 当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)

  是 否

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