晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、的变化情况分别为（）
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有一负反馈放大电路，A=1000，F=0.009，如果由于晶体管参数和环境温度变化的影响，而使其放大倍数减小了20％，试求变化后的Af值（）。
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有一负反馈放大电路，A=1000，F=0.009，如果由于晶体管参数和环境温度变化的影响，而使其放大倍数减小了20％，则变化后的AF值为（）。
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温度升高时，晶体三极管的共射输入特性曲线将（）。
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对于晶体硅太阳能电池，环境对开路电压和短路电流有一定影响，其中受温度影响较大的是（），受太阳辐照度影响较大的是（）
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当环境温度升高时，晶体三极管的输出特性曲线将（）。
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晶体管是一种受温度影响（）的电气元件。
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温度的变化造成晶体管参数的改变，易影响高频振荡器的振荡频率。
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采集环境空气样品时，填充柱的吸附效率受温度等因素影响较大，一般温度升高，最大采样体积减少。
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零点漂移形成原因主要是晶体管和元件受温度影响，引起参数变化而造成的。
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降（）。
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当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）
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铁在不同温度范围有不同的晶体结构。在室温铁有（），称为α铁；当温度升高到912℃，α铁转变为具有（），称为γ铁，当温度继续升高到1394℃，γ铁转变为（），称为δ铁。
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温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。
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当温度升高时，晶体三极管的参数（ ）。
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晶体管电流受温度的影响比场效应管______________。
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在测量多晶体的体扩散时,我们通常在较高的温度和较大晶粒条件下进行,这是因为在低温下,()扩散的影响较大。
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7、温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。
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当温度升高时，晶体管的β（）
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晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少（）。
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当环境温度变化时，二极管的（）将随之变化。（晶体管）
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降∪BE减小（）
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半导体三极管主要参数有一只晶体管，其α值为0.98，当发射极电流为2mA时，该管的β值是（）
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当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。（晶体管）
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晶体二极管的伏安特性曲线上，当温度升高时，正向特性曲线向移动（）
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