14、P在两歩扩散工艺中,第二步再分布的同时又进行了热氧化(kp=10),这会给再分布扩散带来哪些影响:

A.P扩散速度不变; B.P扩散速度加快; C.扩散速度减慢; D.扩入Si的P总量下降; E.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积(是指高于SiO2一侧); F.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭(是指低于SiO2一侧)。

时间:2024-05-08 15:38:12

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