谐振法测量Cx和tanδ的频率范围为:
相似题目
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用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ,首端A开路,Cx接二次x、xD。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,影响测试结果的因数包括()。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线;电桥按正接线方式工作。
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40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。
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利用谐振法测量某电感的Q值。当可变电容为100pF时,电路发生串联谐振。保持频率不变,改变可变电容,半功率点处的电容分别为102pF和98pF.求该电感的Q值。
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测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,应符合以下规定()
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利用无源测量法测量频率时,文氏电桥仅适用于()范围的粗测,LC谐振回路适用于()范围的测量。
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220kV油浸式互感器末屏tanδ测量电压为()。
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测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。
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油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时,同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较,变化范围不超过_A_,电容量比值与初始测量电容量比值比较,变化范围不超过()。
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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。
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电流互感器出厂验收标准卡中,电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为()。
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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位,在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
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在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08F,则介质损耗正切值tanδ为()
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测量变压器绝缘的Cx和tanδ时,如旁边放以木梯,木梯的耦合阻抗对测量结果有怎样的影响?
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测量 tanδ能有效判别设备绝缘中的一些集中性缺陷()
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对于电容量较大的试品(例如套管、互感器等),测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品(例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等)测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有()
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测量变压器绕组绝缘的tanδ时,非被试绕组应短接。
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11、1. 在电力系统中电源频率固定为 ,一般变化很小,可视为对tanδ 影响。
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M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S()