晶体三极管的特性可分为()特性和()特性及反向击穿特性。
相似题目
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晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
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半导体二极管有3个特性,它们是正向特性,反向特性,反向击穿特性
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可利用稳压管的反向电流变化很大而反向击穿电压()的特性达到稳压目的。
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稳压二极管是利用PN结,反向击穿的特性,运用特殊的工艺方法制成的。
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反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线,有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
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晶体三极管的输出特性分为()。
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利用半导体二极管的反向击穿特性,可以组成二极管稳压电路。
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晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
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绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。
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晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和()三个区域。
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硅稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的。()
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晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。
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晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。
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晶体二极管具有单向导电特性,其反向电阻远大于正向电阻,利用万用表R×1K挡,可判断其正负极。若测出的电阻值为几百到几千欧,说明是(),负表笔接的是二极管的正极,正表笔接的二极管的负极。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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JT一1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。
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何谓二极管的反向击穿特性?
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晶体二极管输出特性曲线放大区中,平分线的间隔可直接反映出晶体三极管()
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晶体三极管输出特性曲线放大区中,平行线的间隔可直接反映出晶体三极管()的大小。
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3、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
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晶体三极管的输出特性曲线可分为()、()、()三个区域。
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稳压二极管是利用了其反向击穿特性
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1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考:如何用万用表判断稳压管的极性及好坏;测量二极管的伏安特性时,正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里,为什么?稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分,为什么? 撰写实验报告。
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5、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降