半导体的导电特性及PN结在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体()
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P型半导体,N型半导体,PN结都具有单向导电性。
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半导体中掺入微量的硼、镓、铝等元素后,形成N型半导体。()
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在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
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在半导体中,靠空穴导电的半导体称N型半导体。
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在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。
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在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的()元素,就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体,即n型半导体。
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在本征硅(或锗)中掺入微量的()价元素,便可形成N型半导体。
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半导体PN结具有单向导电型。()
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在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
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N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
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N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。
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由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。
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在半导体中掺入施主杂质,其将成为N型半导体。
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纯净半导体又称为 半导体,在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体,在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
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纯净半导体中掺入()元素可获得N型半导体。A.二价
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电, 而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。此题为判断题(对,错)。
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零()
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半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是()
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将()
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄()
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半导体的导电特性及PN结在本征半导体中掺入三价元素后的半导体为()
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1、在纯Si中掺入下列()元素,Si将变为n型半导体
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