半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是()
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P型半导体,N型半导体,PN结都具有单向导电性。
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在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
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P型半导体的少数载流子是()。
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半导体PN结具有单向导电型。()
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P型半导体少数载流子是()
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P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
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N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
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在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()
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N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
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由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。
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P型半导体主要依靠(________)载流子导电。
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在本征半导体中掺微量的三价元素,就称为P型半导体,其多数载流子是空穴,少数载流子是(________),它主要依靠多数载流子导电。
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P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 。
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P型半导体中的多数载流子是______;少数载流子是______。
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电, 而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。此题为判断题(对,错)。
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将()
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄()
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20、P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。
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6、在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
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