简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
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常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和()两种。
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光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级,比锗管约高一个数量级。
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下列选项中,()不是影响离子选择性电极的响应速度的主要因素。
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下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是()
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半导体光检测器主要有两类:PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD) APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送
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常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。
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某光电二极管的的响应速度R=0.65A/w,接收波长为1550nm,则此光电二极管的量子效率为()。
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为了提高光电二极管的响应频率,应适当加大()。
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采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围()。
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简述PIN型的光电二极管的及特点?
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光电器件输出电压达到最大值0.63倍时所对应的时间称为光电器件的响应时间它会影响调制频率上限。
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某光电二极管的的响应速度R=0.8A/w,接收波长为1550nm,则此光电二极管的量子效率为()。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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对PIN光电二极管优点描述不正确的是()。
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一般PIN光电二极管在入射光功率()毫瓦量级时,能够保持比较好的线性。
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对于采用PIN光电二极管作检测器的接收机,()是影响接收机灵敏度最主要的因素。
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某PIN光电二极管的量子效率η=70%,接收波长为1550nm,则此光电二极管的响应速度R为()。
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光电效应原理互感器准确度的主要影响因素有()
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PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
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简述高阶系统的单位阶跃响应组成及其影响因素。
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5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 ()
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已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6×10-19 C,则该光电二极管的量子效率为()
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Si光电二极管的光谱响应频段()。
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