抑制性突触后电位（）

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• 抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。

  A . Na 内流 B . K 内流 C . Ca 内流 D . Cl 内流 E . K 外流

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 抑制性突触后电位()

  A . A．是“全或无”式的 B . B．有总和现象 C . C．幅度较兴奋性突触后电位大 D . D．是突触后膜对Cl的通透性减少的结果 E . E．是突触后膜对Cl的通透性增加的结果

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• 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

  A . K 、Cl ，尤其是K B . Na 、Cl ，尤其是Na C . K 、Cl ，尤其是Cl D . Ca 、Cl ，尤其是Ca E . Na 、Cl ，尤其是Cl

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• 抑制性突触后电位（）

  A . 是去极化局部电位 B . 是超极化局部电位 C . 具有全或无特征 D . 是突触前膜递质释放减少所致 E . 是突触后膜对Na通透性增加所致

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 抑制性突触后电位

  A、因突触前递质释放减少而产生 B、因后膜Ca 2+电导降低而产生 C、因后膜Na +电导降低而产生 D、由中间神经元受抑制而产生 E、使后膜电位远离阈电位水平

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• 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

  A . 正确 B . 错误

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。

  A . 突触前膜均去极化 B . 突触后膜均去极化 C . 突触前膜释放的递质性质一样 D . 突触后膜对离子通透性一样

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• 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）

  A . K 、Cl ，尤其是K B . Na 、Cl ，尤优其是Na C . K 、Cl ，尤其是Cl D . Ca 、CI ，尤其是Ca E . Na 、Cl ，尤其是Cl

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• 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？

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• 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？

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• 抑制性突触后电位是

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• 抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。

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• 发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )

  A．Na⁺ B．Ca²⁺ C．K⁺ D．Cl^- E．Cl^-和Na⁺

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• 抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）

  A．超极化 B．去极化 C．反极化 D．复极化 E．超射

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• 突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

  A．兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

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• 抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）

  A．极化 B．去极化 C．反极化 D．复极化 E．超根化

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）

  A．是局部去极化电位 B．具有全或无性质 C．是局部超极化电位 D．是突触前膜递质释放量减少所致 E．是突触后膜Na+通透性增加所致

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