（）是在一块半导体材料上，制作出三个区，构成两个PN结，并分别从三个区中引出三条引线，在封装在管壳里。
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半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。
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半导体色敏器件是一个双结光电二极管，由两个（）不同的PN结构成。
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晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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单向晶闸管（可控硅）由（）个半导体层构成，共有（）个PN结。
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世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
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GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所以可分为（）两种形式。
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晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极。
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晶体三极管具有三个电极三个PN结的半导体元件。（）
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普通晶闸管是在一块半导体上制成（）个PN结，再引出电极并封装加固而成。
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制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
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半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应称为光电导效应。
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三极管由三个区、两个（）、三个极及外壳构成。
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晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成。
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将二极管、三极管的部分阻容元器件及电路连线全部集中制作在一块半导体基片上，构成单元电路，称之为（）简称IC。
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光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生电动势的效应。
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把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
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三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
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半导体三极管是由发射极,( ),( )三个电极( ),( )两个PN结构成
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
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一个三极管和一个二极管用连线将它们连接，使之成为有三个PN结的半导体，代替一个晶闸管使用。（)
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7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
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18、晶闸管内部由半导体材料构成一个 三端结构，共形成 PN结，引出 、 和门极G三端。