晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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晶体三极管内部有（）半导体材料构成。
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三极管的内部结构是由基区、（）区、集电区及发射结和集电结组成的。
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普通晶闸管是由4层半导体极成的，由P1区引出的电极称为晶闸管的（）。
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三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
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每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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三极管由三块半导体制成，各引出一根电极，三个电极分别叫发射极、基极、（）。
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要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。
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（）是在一块半导体材料上，制作出三个区，构成两个PN结，并分别从三个区中引出三条引线，在封装在管壳里。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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18、晶闸管内部由半导体材料构成一个 三端结构，共形成 PN结，引出 、 和门极G三端。
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8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。
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