8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。
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三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
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晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于()偏置。
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晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
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三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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晶体三极管又称半导体三极管,它有三个电极,分别为发射极、基极、集电极,其中()表示发射极。
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晶体三极管具有放大作用,发射结和集电结必须分别加()。
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晶体三极管具有放大作用,发射结和集电结必须分别加正向偏置和反向偏置。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管饱和区的特点是发射结和集电结处于反偏状态。
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
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测量半导体三极管的发射结与集电结,如均为正偏,则它工作在()区;如皆为反偏,则它工作在()区。
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三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
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晶体管工作在放大区时,其发射结和集电结的偏置关系是( )。
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为
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1、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
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半导体三极管当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开()
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半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()
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4、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
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26、晶体三极管工作在截止区时,发射结和集电结均为 。
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10、NPN型三极管的发射区发射电子,集电区收集电子。
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