测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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在任何结焦时间下，立火道底部温度对硅砖焦炉不得超过1450ΟC。.
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硅砖焦炉立火道温度不得超过（）。
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焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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砌焦炉用硅砖在烘炉过程中，硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点，其中（）的温度范围内体积变化最大。
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在任何结焦时间下，对于硅砖焦炉，确定的标准温度应使焦炉各立火道的温度不超过（）。
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硅砖焦炉立火道允许的最低温度为（）℃。
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对于硅砖焦炉，火道底部温度应控制在（）才是安全的。
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正常情况下硅砖焦炉立火道底部温度不得低于（）
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投产六个月以上的硅砖焦炉，在有计划加快炼焦速度时，允许昼夜提高火道温度不得超过（），但不能超过极限温度。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？
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组建综合性的大型的配送中心，由其来承担全部的配送业务对于企业来说，对销售配送的综合能力要求较高。
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对于锥度为50mm的硅砖焦炉来说，如果结焦时间为21小时之内，其机焦侧温差为（）
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硅砖焦炉立火道测温点的温度最高不得超过（）。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
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无论在任何结焦时间，硅砖焦炉立火道温度最高不允许超过1550℃。
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在任何情况下，硅砖焦炉立火道底部温度不得超过（）。
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对于同一座焦炉，标准温度是根据焦饼中心温度来确定的，结焦时间越长，标准温度越（）。
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规定焦饼中心温度的范围为1000℃±100℃。此题为判断题(对，错)。
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为了保证烘炉质量和砌体的完整性，硅砖焦炉烘炉最大日膨胀率为（）
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投产六个月以上的硅砖焦炉当接近极限操作温度时，在有计划加快炼焦速度后，允许昼夜提高火道不得超过℃（）
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硅砖焦炉蓄热室顶部温度，最高不得超过（）
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砌焦炉用硅砖在烘炉过程中，硅砖中的SiO<sub>2</sub>发生四个晶形转化点，其中（）的温度范围内体积变化最大
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