对于同一座焦炉，标准温度是根据焦饼中心温度来确定的，结焦时间越长，标准温度越（）。
相似题目
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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燃烧室各火道的温度趋势是焦侧高于机侧，因而焦饼中心温度的趋势也一定是焦侧高于机侧。
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焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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焦饼中心的温度为（）
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焦饼中心温度一般控制在（）。
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在任何结焦时间下，对于硅砖焦炉，确定的标准温度应使焦炉各立火道的温度不超过（）。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
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焦饼中心温度是确定标准火道温度的依据，同时又是确定机、焦侧温度差依据。(）
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焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据，同时又是确定机焦侧温度差的依据。
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成熟的焦饼中心温度为（）℃
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装入煤水分变化1％，焦饼中心温度和标准温度有什么变化
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焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？
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焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
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焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机，焦侧温度差的依据。
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焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
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规定的焦饼中心温度（）。
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测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
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焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
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