焦饼中心温度一般控制在（）。
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虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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焦饼中心的温度为（）
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成熟的焦饼中心温度为（）℃
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配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
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焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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焦饼温度一般控制在1000±50℃。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？
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焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
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焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
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在同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变（）。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
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火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
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测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
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为什么要测量焦饼中心温度？
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测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10℃。
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确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
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在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10？5℃。（)
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焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
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一般情况下，配煤水分每波动1%，焦饼中心温度将变化（）
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焦饼中心温度一般规定为1000±50℃（）
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