配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
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要确定炼焦配煤的配煤比，要进行（）实验。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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焦饼中心温度一般控制在（）。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
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炉顶空间温度只与装煤、平煤及调火操作有关，与炉体结构及配煤比等因素无关。
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装入煤水分变化1％，焦饼中心温度和标准温度有什么变化
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正常情况下，焦饼中心温度每季度测量两次。
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焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？
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测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
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在大尺寸测量中，温度影响更为突出，因此必须严格控制温度的变化。
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测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
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为什么要测量焦饼中心温度？
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测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标？（）
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测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。
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正确实现预定的配煤比关系到配煤的质量，因此，必须选择（）的合理方法。
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焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
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一般情况下，配煤水分每波动1%，焦饼中心温度将变化（）
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装入煤的质量改变太大时，例如，配煤中的水分和挥发分改变3%，堆密度改变5%以上时,应该测量焦饼中心温度。（)