成熟的焦饼中心温度为()℃
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机、焦侧标准火道的温度差,是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标,焦侧的火道温度比机侧要低。
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虽然机、焦侧焦饼中心温度一致,但焦侧焦饼平均温度()机侧,故随焦饼带走的热量过多,因此,焦侧耗热量大于机侧。
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测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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焦饼中心的温度为()
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焦饼中心温度一般控制在()。
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焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
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焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。
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煤隔绝空气加热,经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段,当焦饼中心温度达到(),最终成为成熟的焦炭。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
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火落时焦饼中心温度大约为()℃。
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规定的焦饼中心温度()。
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机焦侧标准温度的温度差,是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标,焦侧的立火道比机侧要低一些。
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成熟的焦饼中心面上有一条缝,一般称焦缝,其形成的原因是()。
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焦饼中心温度为900±50℃。
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测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
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当焦饼中心温度达到()时,焦炭即告成熟。
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确定标准温度的依据焦饼中心温度。()
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规定焦饼中心温度的范围为1000℃±100℃。此题为判断题(对,错)。
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成熟的焦饼中心处有一条缝。这是由于两面加热,胶质层在中心汇合所致。
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焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟()
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为提高焦炭热强度,焦饼中心温度取1050℃为好。()
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焦饼中心温度一般规定为1000±50℃()
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