高频功率放大器常工作在甲类,因而晶体管本身就是非线性器件。()
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高频调谐功率放大器中,晶体管的内部特性指的是()时,晶体管的输出特性和转移特性。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结()。
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高频调谐功率放大器中,当频率升高时,晶体管的uces的变大。
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高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于()区。
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超高频调谐器要求高输入阻抗,低噪声系数以及大动态工作范围,为此,常选用()担当高频放大器
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S,Uj=0.6V,Ec=18V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2.5V,Ucm=16V集电极电流脉冲幅值Icmax=1.8A,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,Pc,ηc?
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高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于线性放大区。
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高频功率放大器失谐时,输出功率将减小,晶体管功耗将增大,效率将降低。
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,ηc?
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:θ,Ic0,Ic1m,Ucm?
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电阻器的性能参数包括标称值、额定功率、极限工作电压、电阻温度系数、高频特性、非线性、噪声电动势以及()等。
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在高频调谐功率放大器调试过程中,为保证晶体管能安全工作,往往将输出功率减小一半,试问在保持电源电压不变的情况下,采用()输入信号的方法,将减小输出。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
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HF接收机的高频放大器工作在甲类状态的目的().
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无源互调特性是指接头、馈线、天线、滤波器等无源部件工作在多个载频的大功率信号条件下由于部件本身存在非线性而引起的()。
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电阻的性能参数包括标称值、额定功率、极限工作电压、电阻温度系数、高频特性、非线性、噪声电动势以及()等。
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在调谐功率放大器中,晶体管工作延伸到非线性区域包括线性和截止区。
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高频调谐功率放大器中,晶体管的外部特性指的是有载时,晶体管的输出特性和转移特性。
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定E<sub>c</sub>=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算IC0,Ic1m和Rc。
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定Ec=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算P0,Ps,PC和ηc。
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由于高频功率放大器工作于非线性状态,因此线性电路的阻抗匹配概念不能适应它。()
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在图NPSI-4(a)所示甲类变压器耦合功率放大器原理电路中,若晶体管采用NSC-4A,V<sub>cc</sub>=20V,基极
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由于晶体管存在寄生电容Cb'c在高频时形成内反馈,从而影响到调谐放大器工作的稳定性。()
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3DG系列晶体管为高频小功率晶体管。()
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