高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
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高频调谐功率放大器中，晶体管的内部特性指的是（）时，晶体管的输出特性和转移特性。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结（）。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为60° ~ 80°。
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高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的uces的变大。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，曲线近似水平的部分称为（）。
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。
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发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（）
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。
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对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为（）。
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在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加上正向电压，集电结加反向电压。
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在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
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晶体三极管的发射结处于正向偏置时，三极管就导通。
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放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（）发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。
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晶体三极管具有放大作用，发射结和集电结必须分别加正向偏置和反向偏置。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。
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三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。
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三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结（）偏置。
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三极管处于截止状态时( )。<br/>A.发射结正向偏置，集电结反向偏置<br/>B.发射结反向偏置，集电结反向偏置<br/>C.发射结正向偏置，集电结正向偏置<br/>D.发射结反向偏置，集电结正向偏置<br/>
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晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0 。（）
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三极管发射结正向偏置,集电结反响偏置是（）状态
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晶体管处于饱和状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。
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晶体管处于放大状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。