NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。
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NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()
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根据PNP型晶体三极管的电流分配原理,当处于放大状态时,其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是()。
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对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么基极内的空穴()。
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在NPN型晶体三极管放大电路中,如果基极与发射极短路,下列哪种说法正确()。
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对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。
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在NPN型晶体管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()
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对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么发射极内的自由电子()。
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用直流电压表测量NPN型晶体管电路,晶体管各极对地电压是仉=4.7v,以=4V,阢=4.3V,则该三极管处于()状态。
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如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型?
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在正向AGC电路中,若受控级的晶体管是PNP型三极管,则AGC电压应是()。
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在电气原理图中,NPN型晶体三极管的代表符号是()。
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由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路,现若放大电路静态工作点选的过高,信号容易出现()失真。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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在NPN型晶体管放大电路中,如果基极与发射极短路,则()。
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用直流电压表测量NPN型晶体管电路,晶体管各极对地电压是Ub=4.7V,Ue=4V,UC、=4.3V,则该三极管处于()状态。
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用直流电压表测量NPN型晶体管电路,晶体管各极对地电压是Ub=4.7V,Ue=4V,Uc=4.3V,则该三极管处于()状态。
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在NPN型晶体三极管放大器中,若基极与发射极短路,则晶体三极管()。
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集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管,VEBO大约()左右。A
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PNP和NPN型晶体三极管具有几乎等同的特性,只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而巳()
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在由NPN型晶体管构成的固定偏置单管放大电路中,静态工作点的位置太高引起的失真是( )。
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三极管的结构NPN型和PNP型晶体管的区别是()
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晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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9、9、 在放大电路中的晶体管, 其电位最高的一个电极是()。 A. PNP管的集电极 B. PNP管的发射极 C. NPN管的发射极
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