使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
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QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。
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在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，影响测试结果的因数包括（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）
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QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。
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QS1型交流电桥测量时，接好线后首先，接通电源，合上光源开关，用“调零”旋钮，使光带位于中间位置，加试验电压，并将“tanØ”转至“接通”位置。接着增加检流计灵敏度，旋转调谐旋钮，找到谐振点，使光带展至最大宽度，再调节R3使光带缩窄。增加灵敏度按R3、C4、ρ的顺序反复调节，使光带缩至最窄（一般不超过4mm），这时电桥达到平衡。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08F，则介质损耗正切值tanδ为（）
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（）
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M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S（）