采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有()
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测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?
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现场测试中,使用QS1电桥测tgδ%,下列设备哪些适合正接线。()
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿(相对湿度大于85%)条件下测得的tanØ值,不能反映设备的实际绝缘状况。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种()
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测试介质损失角正切时,QS1型西林电桥有()种接线方式。
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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绘图题:画出用QS1型西林电桥测量-tgδ的原理接线图(正接线)。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,设备温度不同,所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()
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绘图题:画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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用QS1型西林电桥测tgδ,消除电场干扰的方法有哪些?
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()
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在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08F,则介质损耗正切值tanδ为()
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