采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线；电桥按正接线方式工作。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有（）。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是（）。
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绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况。
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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（）
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